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xii CAPÍTULO 1 – INTRODUÇÃO 1 1.1 INTRODUÇÃO  1 1.2 OBJETIVOS  3 1.3 ORGANIZAÇÃO DO TRABALHO  4 CAPÍTULO 2 – ESTADO DA ARTE  5 2.1 INTRODUÇÃO À TECNOLOGIA DO SiC 5 2.2 – O CARBETO DE SILÍCIO CRISTALINO (c-SiC) 7 2.2.1 Politipos e definições 7 2.2.2 Propriedades elétricas 9 2.2.3 Aplicações dos dispositivos baseados em SiC  10 2.2.4 Produção do SiC 11 2.3 O CARBETO DE SILÍCIO AMORFO HIDROGENADO (a-SiC:H) 17 2.3.1 Os mecanismos de condução nos semicondutores amorfos  19 CAPÍTULO 3 PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS 25 3.1 OBTENÇÃO DOS FILMES  25 3.1.1 Amostras depositadas com e sem diluição em hidrogênio  27 3.2 TÉCNICAS DE CARACTERIZAÇÃO 29 3.2.1 Perfilometria 29 3.2.2 Espectrocospia de Infravermelho (FTIR) 30 3.2.3 Difração de raios X (XRD)  32 3.2.4 Condutividade elétrica no escuro 33 3.2.5 Espectrometria de massa de íons secundários (SIMS) 36 3.3 – METODOLOGIA 41 3.3.1 – Processos de Fabricação  41 I. Cristalização e corrosão dos filmes  41 II. Processos de dopagem 42 3.3.2 – Dispositivos 50 I. Capacitores tipo metal-óxido-carbeto de silício (MOSiC)  50 II. Heterojunções SiC/Si  61 III. Transistores de filme fino 72 CAPÍTULO 4 – RESULTADOS E DISCUSSÃO 82 4.1 PARTE 1: CRISTALIZAÇÃO E CORROSÃO DOS FILMES DE SiC  82 4.1.1 Cristalização 82 4.1.2 Corrosão  90 4.2 PARTE 2: DOPAGEM  95 4.2.1 Dopagem in-situ com N2 95 4.2.2 Implantação iônica de boro (B) e difluoreto de boro (BF2)  100 4.2.3 Difusão térmica de alumínio  107 4.3 PARTE 3: DISPOSITIVOS 113 4.3.1 – Capacitores MOSiC  113 4.3.2 – Heterojunções SiC/Si  122 4.3.3 – TFTs de SiC 132 CAPÍTULO 5 – CONCLUSÕES FINAIS  140 ANEXO A – TRABALHOS DECORRENTES 144 ANEXO B – CARACTERIZAÇÃO DOS CAPACITORES MOS  146 REFERÊNCIAS  158

Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD.