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Le nitrure de gallium est un semi-conducteur dont le gap est de 3,5 eV a temperature ambiante [1]. D suscite actuellement un vif interet pour diverses raisons. Tout d'abord, ce materiau permet la fabrication de diodes et de lasers emettant dans le bleu [2]. L'utilisation de lasers bleus presente plusieurs avantages, dont le plus important concerne le stockage de l'information. En effet, plus la longueur d'onde du faisceau est faible et plus sa tache de focalisation sera petite. Avec une diode laser bleue emettant a 350 nm, il serait ainsi possible de stocker quatre fois plus d'informations, a surface egale, qu'avec les diodes laser rouges actuelles emettant a 635 nm. D'autres applications sont egalement possibles [3], notamment dans le domaine de l'eclairage domestique puisque, a l'aide de diodes electroluminescentes a base de nitrure, il est desormais possible de recreer l'integralite du spectre visible. En effet, les alliages GalnN et GaAIN permettent de couvrir la region de 1,95 a 6,20 eV de maniere continue suivant la concentration d'indium ou d'aluminium. L'enjeu commercial est considerable lorsque l'on sait que les diodes electroluminescentes consomment deux fois moins d'energie que les ampoules a incandescence classiques et que leur duree de vie pourrait etre de plusieurs annees. Actuellement, la duree de vie des lasers bleus est relativement limitee [4] (environ 1000 h), ce qui est probablement du a la mauvaise qualite cristalline des couches. Historiquement, le developpement des lasers a base de GaAs et de ZnSe a montre que la comprehension de la dynamique de recombinaison des porteurs a ete le facteur cle pour la realisation de lasers a semi-conducteurs. Nous pouvons supposer qu'il en sera de meme pour les nitrures de la famille HI-V. C'est dans ce cadre que se situent nos travaux. Notre etude porte sur un echantillon de GaN de 2 um d'epaisseur, obtenu par MOCVD sur substrat de saphir. D existe un important desaccord de maille entre la couche de GaN et

Influence de la saturation des niveaux d'impuretés sur la dynamique de la luminescence de couches épitaxiées de nitrure de gallium