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Resume. Depuis le debut des annees 1980, des siliciures de metaux de transition (WSi2, TiSi2, CoSi2, NiSi) sont utilises comme materiaux de contact et d’interconnection dans les dispositifs de la microelectronique. Ils sont formes par diffusion reactive entre un film mince de metal et le silicium. Des contraintes importantes se developpent lors de la formation de la nouvelle phase intermetallique. Ces contraintes peuvent etre analysees experimentalement par mesures de courbure et diffraction des rayons X in situ. Les etudes experimentales montrent que les parametres importants qui controlent le developpement de ces contraintes sont : (i) la variation de volume molaire. (ii) la cinetique de croissance. (iii) le mecanisme de relaxation des contraintes. Les modeles existants permettent une description phenomenologique de l’evolution des contraintes mais une comprehension physique plus fine necessite la connaissance des proprietes mecaniques des couches tres minces de siliciures.

Les siliciures de métaux de transition en microélectronique : propriétés mécaniques et contraintes induites au cours de la formation en phase solide