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Quatre techniques de recuit rapide par faisceau d'énergie ont été évaluées de façon comparative du point de vue de leur application à la recristallisation de couches implantées dans le silicium monocristallin : - le recuit par faisceau laser YAG pulsé (0,53 µm - 100 ms). - le recuit par faisceau laser continu (0,48 à 0,52 µm - 1 ms). - le recuit isotherme rapide par rayonnement infrarouge (1100°C - 10 s). - le recuit par lampe (1100°C - 10 s)

PROPRIÉTÉS DES JONCTIONS p/n DANS LE SILICIUM OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT RAPIDE