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La diffusion atomique de l'aluminium dans le silicium monocristallin et polycristallin à petits grains (diamètre voisin de 10 µm) a été étudiée dans le domaine de température 1100-1400°C. Les échantillons subissent une implantation d'aluminium, un recuit laser semi-continu en phase solide, puis une analyse au microanalyseur ionique. Utilisant un modèle thermique dérivé de celui de GOLD et GIBBONS, on retrouve pour les monocristaux entre 1400°C et 1200°C le coefficient de diffusion Dv généralement admis, d'énergie d'activation 3,4 eV ; dans les polycristaux apparaît au-dessous de 1300°C une diffusion intergranulaire Dj, d'énergie d'activation beaucoup plus faible

DIFFUSION DE L'ALUMINIUM DANS LE SILICIUM CRISTALLIN PAR RECUIT LASER SEMI-CONTINU