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La concentration en centres F dans KBr et KCl sous irradiation électronique à la température de l'azote liquide évolue comme t0,75 pour des cristaux purs et comme t0,5 pour des cristaux dopés ou impurs. La discussion de ces résultats, à l'aide d'un modèle selon lequel la stabilisation des interstitiels détermine le taux de croissance, conduit aux conclusions suivantes : 1) La probabilité de capture d'un interstitiel par un piège est fonction de la taille du piège dans les cristaux purs ; 2) La probabilité de capture est indépendante de la taille dans les cristaux impurs. Ceci s'explique en supposant une interaction à longue distance entre l'interstitiel et le piège

LE RÔLE DES AGGLOMÉRATS D'INTERSTITIELS DANS LA FORMATION DES DÉFAUTS DE FRENKEL DANS LES HALOGÉNURES ALCALINS