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Des films de tellurure de bismuth (Bi 2 Te 3 ) d'epaisseur proche de 1 μm ont ete developpes par voie electrochimique. Leurs indices optiques ont ete determines par ellipsometrie spectroscopique (SE). Le domaine spectral des indices optiques s'etend de 400 nm a 1300 nm. L'ellipsometrie spectroscopique a angle d'incidence variable (VASE) a ete utilisee pour correler les donnees SE. Cette partie a ete completee par des analyses par microscopie a force atomique (AFM) qui ont permis de determiner la rugosite des films. A partir de ces resultats et en associant l'absorption fondamentale des films de Bi 2 Te 3 a une transition indirecte, l'energie de bande interdite a ete evaluee a 0,3 eV. Par ailleurs des mesures associant ellipsometrie spectroscopique a temps reel et electrochimie ont pu etre realisees. Ainsi les premiers instants de croissance ont ete observes.

Caractérisation par ellipsométrie spectroscopique de films minces de tellurure de bismuth obtenus par voie électrochimique