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L'oxydation catalytique du silicium (111) à l'aide des métaux alcalins, particulièrement le potassium, est étudiée dans notre groupe depuis plusieurs années, à l'aide de diverses techniques. Il est bien connu qu'à température ambiante, on ne peut déposer qu'une monocouche de potassium et qu'il n'en résultera qu'une faible quantité d'oxyde sous forme d'une mince couche uniforme. Le défi est de déterminer dans quelles conditions on peut arriver à obtenir des couches plus épaisses et toujours uniformes. Ainsi, sur un échantillon de Si(111) refroidi à environ -125°C, il est possible de déposer une plus grande quantité de potassium. Toutefois, tel que confirmé par SEM, micro-AES et AFM, le mécanisme d'adsorption de potassium à cette température est caractérisé par une croissance en îlots du type Stranski-Krastanov. Après exposition à l'oxygène, la désorption subséquente du potassium à température modérée (700°C) donne des îlots de SiO2 entourés d'une mince couche uniforme de SiO2. Cependant nos travaux ont montré que l'on peut obtenir une couche uniforme de SiO2 si la couverture de potassium est exposée à une basse pression d'oxygène (10-8 mbar). On peut arriver au même résultat si l'adsorption de potassium s'effectue simultanément avec l'exposition à l'oxygène à température ambiante. L'élimination finale du potassium est confirmée par des mesures SIMS

Oxydation catalytique du silicium : l'obtention de couches d'oxydesuniformes