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Des couches minces épitaxiées de ZnSe ont été déposées par ablation laser sur des substrats monocristallins de GaAs. L'influence de la température du substrat ainsi que son état de surface sur la qualité structurale de ces couches a tout d'abord été étudiée par Diffraction de Rayons X (XRD). Une épitaxie complète de ZnSe a été obtenue pour des températures de substrat > 420°C. La morphologie de la surface libre de ZnSe a également été étudiée par Microscopie à Force Atomique (MM) et Microscopie Electronique à Balayage (MEB). La qualité structurale et morphologique de ces couches a été comparée à celle de couches minces de SnSe obtenues par Epitaxie en Phase Vapeur à partir d'organo-Métalliques (MOCVD) ou par Epitaxie par Jets Moléculaires (MBE). On a pu constater que l'ablation laser (PLA) est une technique de dépôt qui permet d'obtenir des couches épitaxiées de qualité comparable à celle de couches préparées par MOCVD et MBE

Caractérisation structurale et morphologique de couches minces épitaxiéesde ZnSe déposées sur GaAs