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Nous avons effectué une étude comparative des différentes techniques de pompage de charge (classique, à trois niveaux, spectroscopique) et d'analyse électrique conventionnelles (DLTS, mesures C-V) sur des structures MOS et MOSFET submicroniques. La répartition énergétique de la densité d'états d'interface a été déterminée pour des substrats d'orientation 〈100 〉 de type N et P à différentes étapes d'un procédé de fabrication CMOS. Nous avons ainsi montré que les techniques de pompage de charge sont de puissants outils de caractérisation et de diagnostic permettant d'évaluer, avec une grande sensibilité, l'influence des traitements thermiques de passivation et des incidents de procédé sur la qualité interfaciale des dispositifs

Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge