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Nous présentons une revue sur les mécanismes de création des défauts à l'interface Si-SiO2 et sur la nature de ces défauts lorsque des structures métal-oxyde-semiconducteur sont soumises à des injections homogènes de porteurs à travers l'oxyde sous l'effet de contraintes électriques produites par l'application de champs électriques importants dans l'oxyde. Après une revue de l'état de l'art permettant de présenter les principaux modèles de dégradations et de situer les lacunes de nos connaissances sur ce sujet, nous présentons nos récentes contributions sur le sujet. Nos principaux résultats nous conduisent à : i) préciser les propriétés électroniques des liaisons pendantes de Si à l'interface Si-SiO2, ii) établir la relation entre les défauts créés et les liaisons pendantes de silicium et iii) montrer le rôle dominant d'espèces neutres liées à l'hydrogène dans les mécanismes de création des défauts. Ces études se situent dans le cadre général des problèmes de la fiabilité des composants MOSFET silicium VLSI

Nature et mécanisme de création des défauts induits à l'interface Si-SiO2 par injections homogènes de porteurs à travers l'oxyde de grille