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Des contacts Ag/Zn/InP type n ont été réalisés sur surface clivée et mécano-chimique pour tester l'idée que l'on peut concurrencer les états électroniques naturellement responsables de l'ancrage du niveau de Fermi par des états introduits artificiellement. Le zinc a été choisi car il peut produire un état accepteur de position énergétique favorable (bas de la bande interdite). Cet état se manifeste après un recuit à 250-300 °C en produisant l'accroissement de barrière attendu. Cependant les diodes obtenues ont des caractéristiques électriques non idéales que l'on attribue à une densité de l'état introduit trop faible associée à un élargissement de la barrière

Essais d'accroissement de la barrière du contact métal/InP type n par l'introduction artificielle d'états accepteurs