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Resume – Nous presentons ici des mesures et les modelisations correspondantes d’effets de saturation dans un photocommutateur picoseconde fabrique en GaAs epitaxie a basse temperature et dope avec du beryllium. Nous avons developpe un modele prenant en compte les aspects hyperfrequence et materiau. Ainsi nous pouvons observer et expliquer la limitation de l’amplitude des impulsions ainsi que l’augmentation de leur duree sous fort eclairement. Le modele developpe permet d’extraire certaines caracteristiques du dispositif et en particulier la densite de piege dans le materiau rapide.

Mesures et modélisations d'effets de saturation dans unphotocommutateur picoseconde en GaAs BT