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R é s u m é : Le développement d ' u n e nouvelle source d ' i r radiat ions à éclairs modulable en longueur d ' o n d e , a ouvert la voie à de nouvelles techniques de dépôt activé par photons . Ces techniques exploi tent la possibili té pour certaines sources de fournir des irradiat ions combinées en ul traviolet lointain, en rayonnement visible et en infrarouge dans la g a m m e 160-5000 n m . U n pa ramèt re important est la durée de l ' i rradiat ion impulsionnelle (inférieure à 30 microsecondes) . La puissance de la source que nous décrivons ici dans l 'ul t raviolet lointain pe rmet de réaliser à la fois le nettoyage, le dépôt et le recuit des diélectr iques à basse tempéra ture ( < 4 0 0 °C ) sur Si et InP. N o u s décrivons plus par t icul ièrement la réalisation de couches minces de S i O x N v peu hydrogénées et exemptes de radicaux OH et d ' eau . N o u s mont rons que les qualités obtenues par cette technique sont intr insèques aux mécan ismes élémentaires des dépôts photolyt iques.

Apport bénéfique des traitements par photons pour la réalisation de composants III-V de bonne qualité