Open AccessВысоковольтные лавинные 4H-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
Author(s) -
П. А. Иванов,
М.Ф. Кудояров,
Н. М. Лебедева,
Н.Д. Ильинская,
T. P. Samsonova
Publication year - 2021
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2021.06.50760.18637
Subject(s) - materials science , physics
Изготовлены высоковольтные 4H-SiC-диоды с контролируемым лавинным пробоем при обратном напряжении 1460 V. Для устранения краевых эффектов на периферии диодов формировалась полуизолирующая область с помощью облучения высокоэнергетическими (53 MeV) ионами аргона. Изготовленные диоды функционируют при плотностях лавинного тока ~ 10 3 A/cm 2 ; лавинное сопротивление составляет не более 0.03 Omega· cm 2 . При длительности импульсов тока 4 μs лавинная энергия, рассеиваемая диодами до отказа (вследствие вторичного теплового пробоя), и локальный температурный перегрев составляют 5 J/cm 2 и 850 o C соответственно. Ключевые слова: карбид кремния, диод, охранный контур, лавинный пробой.