Open AccessИсследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Author(s) -
A. G. Gladyshev,
A. V. Babichev,
В.В. Андрюшкин,
Д. В. Денисов,
V. N. Nevedomskiy,
E. S. Kolodeznyi,
I. I. Novikov,
Л.Я. Карачинский,
A. I. Egorov
Publication year - 2020
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2020.12.50133.129-20
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Предложен новый метод формирования трехмерных квантово-размерных островков InGaP(As), заключающийся в замещении фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Показано, что при замещении фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP формируются трехмерные островки, излучающие в спектральном диапазоне 0.95-0.97 μm при комнатной температуре. Оценочная плотность островков составила 1.3·10 10 cm -2 . Ключевые слова: эпитаксия, квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, просвечивающая электронная микроскопия.