Open AccessМодуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях
Author(s) -
R M Balagula,
М.Я. Винниченко,
И.C. Махов,
D. A. Firsov,
L. E. Vorob’ev
Publication year - 2016
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2016.11.43770.2
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Представлены результаты исследования влияния продольного электрического поля на спектры поглощения излучения среднего инфракрасного диапазона и на спектры межзонной фотолюминесценции в двойных туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Полученные результаты объясняются перераспределением горячих электронов между ямами и изменением объемного заряда в структуре. Из анализа спектров модуляции межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в сильных продольных электрических полях определена температура горячих носителей заряда.
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom