English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Resistive switching random access memory is one of the novel nonvolatile memory technologies that, has a promising future for replacing the conventional FLASH memory. In this work a detailed study made about the types of operations and understanding the mechanisms of the resistance changing in the device.SnO 2 thin films are deposited by using Thermal Vacuum Evaporation deposition method at room temperature on Al/glass substrate to produce Al/SnO 2 /Al/glass device structure. Optical properties are taken to measure the optical band gap of SnO 2 . Resistive switching is observed by taking current voltage readings at room temperature. RRAM cell showed unipolar resistive switching behavior with no overlapping between reset and set voltage (1.5V, 2.5V respectively) ,also between high and low resistance states (7.7KΩ,106Ω). Good retention and endurance are obtained and the ratio between HRS to LRS has been found to be at least (41) within 21 cycles. تحضير ودراسة التركيب MOM لـ SnO2 باستخدام ترسيب التفريغ الحراري عمر غانم غزال أ.م.د. لقمان سفر علي كلية الهندسة / قسم الهندسة الكهربائية الخلاصة الذاكرة العشوائية المعتمدة على التغير في المقاومة هي احدى التقنيات الحديثة للذاكرة غير المتطايرة ولها مستقبل واعد في قدرتها على استبدال الذاكرة الحالية المستخدمة نوع فلاش. في هذا البحث تمت الدراسة  بشكل مفصل لأنواع هذه الذاكرة حسب طريقة عملها وكذلك ألية الخلية والتغير الذي يطرأ عليها عند تغير قيمة مقاومتها.تم ترسيب SnO 2 بطريقة التبخير الحراري في درجة حرارة الغرفة وعلى سطح مكون من  Al/glass وكذلك الطبقة العليا كانت المنيوم. وقد اخذت قياسات الخصائص الضوئية لسطح SnO2 لقياس فجوة الطاقة. التغير في المقاومة تم ملاحظته عند اخذ قياسات التيار مع الفولتيه في درجة حرارة الغرفة. وقد اظهرت خلية الذاكرة تغير في المقاومة نوع احادي الفولتية مع عدم وجود تداخل بين فولتيات العمل(reset, set)بما يقارب (1.5V,2.5V)كذلك كانت قيمة المقاومة العليا والدنيا (106Ω , 7.7 KΩ). وقد اظهرت هذه الذاكرة المصنع تكرارا بحدود (21) دورة وديمومة للمعلومة مع نسبة للمقاومة العليا الى والمقاومة الدنيا وبأسوء الظروف بحدود (41) .

Preparation and Study of SnO2 MOM Structure by The Thermal Vacuum Evaporation Deposition