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En este trabajo se presentan los resultados del depósito de ZnO:Al sobre vidrio, por pulverizado catódico de RF. Se varió la temperatura, presión y potencia de RF con la finalidad de obtener las características electro-ópticas adecuadas para ser usado como película antirreflectante en celdas solares de película delgada de silicio policristalino. Se obtuvieron películas con resistencias de lámina de 13 Ω/cm, transmitancias mayores al 80% en el visible y un factor de textura (Haze) del 14%. Se realizó un tratamiento térmico a 580 C por 24 hs, para valorar la estabilidad térmica de sus propiedades, encontrando que las mismas no se modifican significativamente. Posteriormente se depositó sobre la capa de ZnO:Al una de a-Si:H por PECVD y se cristalizó por NIC para obtener p-Si. Resultados de DRX, muestran la estructura de p-Si con orientación preferencial en el plano (220). Finalmente se obtuvieron los espectros de reflectancia total para tres configuraciones, las propiedades como película antirreflectante del ZnO:Al no cambian significativamente acoplando a-Si:H o p-Si.

DEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF ZnO:Al FILMS FOR APPLICATION AS ANTIREFLECTIVE IN POLYCRYTALLINE SOLAR CELLS