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デザインルールの微細化の進展にともない,加工プロセ スでの平坦度の高度化に向けて各社共不断の努力をしてい ると思われる.特に,ナノトポグラフィと呼ばれる平坦度 の微細化には様々な工夫が必要である.また,ダメージ層 の最小化も欠かせない課題である. ベアウエーハの研削による平坦加工工程として求められ るのは,最終の研磨工程の取代低減に寄与できることであ り,工程として大きく分類すると三つの流れがある. (1) Si 単結晶インゴットをワイヤソーで薄く切断した あと,インフィード方式の両頭研削加工にて両面を 同時に粗加工し,その後片面研削加工(反転式)で 両面の平坦を作り,最終の研磨工程を経る方式 (2) Si 単結晶インゴットをワイヤソーで薄く切断した あと,両面ラップ加工にて粗加工し,その後片面研 削加工で両面の平坦を作り最終の研磨工程を経る方 式 (3) Si 単結晶インゴットをワイヤソーで薄く切断した あと,両頭研削加工にて両面を一挙に精加工し,両 面の平坦を作り込み,最終の研磨工程を経る方式 これらの工程を図 1に⺬す. それぞれの工程の詳細においては一⻑一短があると思わ れるが,その特⻑を述べる. (1) まず,両頭研削加工と片面研削加工の組み合わせに おいては,ワイヤソーによる切断痕を粗加工として 効率のよいビトリファイドボンドホイールを使った 両頭研削加工で均し,表面粗さが小さくなった面を 精加工としてレジンボンドホイールを使った片面研 削加工で表面のダメージ深さを小さく抑える.ダイ ヤモンドホイールは切れ味を維持しながら,かつ磨 耗が小さいことが重要であるが,最適な研削比は粗 工程と精工程を分担することにより得られる.この 工程はいわゆる枚葉方式を実現できるので,加工工 程でのトレーサビリティを容易にする.両頭研削加 工の特⻑は固定砥粒により,形状精度を高めること ができることとオペレータが多台持ちできることで

Flatness Technology of Large-sized Si-Bare Wafer