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Nous montrons que l'utilisation d'un laser UV impulsionnel (ArF * , λ = 193 nm) est tres benefique pour la synthese de nano-agregats de Si dans le regime d'ablation. L'ejection ionique de monomeres Si + et de petits agregats Si x + (x = 2-11) augmente fortement le taux de condensation dans la plume induite par laser UV. De plus, l'importante production d'ions non thermiques assure la stabilisation de la temperature de la surface irradiee permettant de controler la taille des nano-agregats (1-5 nm) a l'aide d'un seul parametre: la fluence laser. On peut alors changer la position spectrale de la bande de photoluminescence des nano-agregats de Si du proche IR au proche UV par la selection de la taille des nano-agregats. Ces resultats sont en accord avec l'effet du confinement quantique.

Ablation laser par laser UV impulsionnel : principale approche pour la synthèse controlée des nanostructures de silicium