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Un nouveau dispositif expérimental pour la détermination de l'angle de croissance sous atmosphère contrôlée a été mis au point. L'angle de croissance du silicium a été mesuré à l'aide de ce dispositif sous vide et sous atmosphère d'argon. Dans les deux cas nous avons trouvé une valeur de 11° ± 1,5° pour les orientations { 111 } et { 110 } de la surface du silicium monocristallin et de 9,5° ± 1,5° pour le silicium polycristallin. Nous montrons que les résultats obtenus sont en accord avec un modèle théorique basé sur l'équilibre thermodynamique des énergies interfaciales à l'intersection des trois phases solide, liquide et gaz

Méthode de détermination de l'angle de croissance d'un matériau : application au silicium